[22a-A401-1~12] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[22a-A401-9] Properties of Passivation Films and influences on Profile in the Bosch Process

〇Tomoyuki Nonaka^1,2, Kazuo Takahashi¹, Akimi Uchida², Stefan Lundgaard², Osamu Tsuji² (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Samco Inc.)

Keywords:

Plasma,Etching,MEMS

Bosch process は、シリコンの深堀エッチング方法のひとつであり、シリコン側壁を保護するためのパッシベーション膜としてC₄F₈プラズマ中で堆積した重合膜を使用する。本研究では、C₄F₈プラズマの条件を変えながら、重合膜の成膜速度を測定し、化学組成の解析を行った。また、Fラジカルを照射した後の重合膜のエッチレートを測定し、化学組成の変動を解析した。さらに、加工中の重合膜の変形とその加工形状への影響を調査した。