[22a-B101-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-B101-5] Investigation of barriers in green GaInN quantum wells on GaN substrates

〇Kotaro Nozu¹, Motoki Nakano¹, Ruka Watanabe¹, Mitsuki Yanagawa¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Kentaro Nonaka², Yoshitaka Kuraoka², Takahumi Yoshino² (1.Meijo Univ., 2.NGK INSULATORS)

Keywords:

barrier layer

高InNモル分率を有するGaInN量子井戸では、トレンチ欠陥が発生しやすい。そこで、Al(Ga)Nキャップ層や厚く高温で成長した障壁層を利用した高品質な緑色GaInN量子井戸の実現が報告されている。一方、緑色VCSELの実現には高い閉じ込め係数が必要で、数nmの障壁層の利用が好ましい。そこで、緑色GaInN量子井戸において成長温度一定で薄い障壁層を用い、薄いAlNキャップ層の有無や障壁層の成長レートの違いをSEMとフォトルミネッセンス強度で評価を行った。