講演情報
[22a-B101-5]GaN基板上緑色GaInN量子井戸における障壁層の検討
〇野津 浩太朗1、中野 元基1、渡邊 琉加1、柳川 光樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、野中 健太朗2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ)
キーワード：
障壁層
高InNモル分率を有するGaInN量子井戸では、トレンチ欠陥が発生しやすい。そこで、Al(Ga)Nキャップ層や厚く高温で成長した障壁層を利用した高品質な緑色GaInN量子井戸の実現が報告されている。一方、緑色VCSELの実現には高い閉じ込め係数が必要で、数nmの障壁層の利用が好ましい。そこで、緑色GaInN量子井戸において成長温度一定で薄い障壁層を用い、薄いAlNキャップ層の有無や障壁層の成長レートの違いをSEMとフォトルミネッセンス強度で評価を行った。