[22a-B101-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-B101-6] High-quality AlInN under layer using hydrogen cleaning

〇Taichi Nishikawa¹, Kana Shibata¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Kenta Kobayashi¹, Ruka Watanabe¹, Mitsuki Yanagawa¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

AlInN,hydrogen cleaning,under layer

本研究室では、AlInN/GaN多層膜反射鏡におけるAlInN層成長後に水素クリーニングを施すことで高品質AlInN/GaNヘテロ接合形成に成功している。この技術を活性層積層前にInを含むAlInN下地層として導入することにより、GaInN量子井戸の特性改善を目指した。