講演情報
[22a-B101-6]水素クリーニングを用いた高品質AlInN下地層
〇西川 大智1、柴田 夏奈1、長澤 剛1、小林 憲汰1、渡邊 琉加1、柳川 光樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
キーワード：
AlInN,水素クリーニング,下地層
本研究室では、AlInN/GaN多層膜反射鏡におけるAlInN層成長後に水素クリーニングを施すことで高品質AlInN/GaNヘテロ接合形成に成功している。この技術を活性層積層前にInを含むAlInN下地層として導入することにより、GaInN量子井戸の特性改善を目指した。