[22a-B101-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-B101-7] Influence of Growth Interruption during AlGaN Quantum Well Growth

〇(M1)Ryunosuke Oka¹, Tomoaki Kachi¹, Hayata Takahata¹, Hisanori Ishiguro¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Koji Okuno², Yoshiki Saito² (1.Meijo Univ., 2.Toyoda Gosei Co.,Ltd.)

Keywords:

semiconductor,AlGaN Quantum Well,Growth Interruption

本検討では、10ペアのAlGaN量子井戸構造において、成長中断におけるAlGaNへの影響を検討した。AlGaNとAlNの間に20秒間の成長中断の有無を考慮した2サンプルを作製し、膜厚の周期をXRDで評価した。サテライトピークより算出した成長中断を入れたサンプルの膜厚の周期は、約0.4nmエッチングされたと示唆された。