講演情報
[22a-B101-7]AlGaN量子井戸形成時における成長中断の影響
〇(M1)岡 龍乃介1、可知 朋晃1、高畑 勇太1、石黒 永孝1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、奥野 浩司2、齋藤 義樹2 (1.名城大理工、2.豊田合成株式会社)
キーワード：
半導体,AlGaN量子井戸,成長中断
本検討では、10ペアのAlGaN量子井戸構造において、成長中断におけるAlGaNへの影響を検討した。AlGaNとAlNの間に20秒間の成長中断の有無を考慮した2サンプルを作製し、膜厚の周期をXRDで評価した。サテライトピークより算出した成長中断を入れたサンプルの膜厚の周期は、約0.4nmエッチングされたと示唆された。