[22a-B201-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-B201-10] Thermal transient analysis of GaN HEMT under modulated operation using measured temperature characteristics

〇Shunsuke Ito¹, Yoichi Tsuchiya¹, Atsushi Tanaka², Tadatomo Suga³, Akio Wakejima¹ (1.Nagoya Inst., 2.Nagoya Univ., 3.Meisei Univ.)

Keywords:

semiconductor,gallium nitride (GaN)

トランジスタ増幅器構造は、結晶、電極、絶縁膜などで構成された複雑な構造であることから、熱シミュレーションだけで過渡温度特性を予想することは困難と考えている。今回、瞬間消費電力下でのGaN HEMTの表面温度（実測）からRC熱回路モデルを作成し、それを用いてランダムに変化する消費電力下での実測温度変化を再現できることを報告する。