講演情報
[22a-B201-10]GaN HEMTの実測温度特性を用いた変調動作下の熱過渡特性解析
〇伊東 俊祐1、土屋 洋一1、田中 敦之2、須賀 唯知3、分島 彰男1 (1.名工大、2.名大、3.明星大)
キーワード：
半導体,窒化ガリウム
トランジスタ増幅器構造は、結晶、電極、絶縁膜などで構成された複雑な構造であることから、熱シミュレーションだけで過渡温度特性を予想することは困難と考えている。今回、瞬間消費電力下でのGaN HEMTの表面温度（実測）からRC熱回路モデルを作成し、それを用いてランダムに変化する消費電力下での実測温度変化を再現できることを報告する。