[22a-B201-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[22a-B201-4] First principles study on impacts of Mg agglomeration on Mg acceptor states in GaN

〇Emi Kano¹, Chokawa Kenta¹, Kobayashi Koki¹, Otsuki Ritsuo¹, Shiraishi Kenji¹, Oshiyama Atsushi¹, Ikarashi Nobuyuki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,Mg ion implantation,First principles calculation

Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、Mgの偏析により、局所的にMg濃度が1 at% を越える領域が形成される。1 at%でのMg_Ga間の平均距離は0.6 nmである。高濃度の偏析は、アクセプタ(Mg_Ga)のエネルギー準位に影響を与える可能性があるが、Mg_Gaが近接して存在する場合のエネルギー準位に関する報告はない。本講演では、Mg_Ga間の距離がそのエネルギーや局在性に与える影響を、第一原理計算を用いて調査した結果について報告する。