講演情報
[22a-B201-4]GaN結晶中のMg凝集がMgアクセプタの電子状態に与える影響の第一原理計算を用いた評価
〇狩野 絵美1、長川 健太1、小林 功季1、大築 立旺1、白石 賢二1、押山 淳1、五十嵐 信行1 (1.名古屋大)
キーワード：
GaN,Mgイオン注入,第一原理計算
Mgイオン注入によるGaNのp型ドーピングでは、Mgの偏析により、局所的にMg濃度が1 at% を越える領域が形成される。1 at%でのMgGa間の平均距離は0.6 nmである。高濃度の偏析は、アクセプタ(MgGa)のエネルギー準位に影響を与える可能性があるが、MgGaが近接して存在する場合のエネルギー準位に関する報告はない。本講演では、MgGa間の距離がそのエネルギーや局在性に与える影響を、第一原理計算を用いて調査した結果について報告する。