Presentation Information
[22a-B202-4]Microfabrication and characterization of Mg2Si-PDs on Mg2Si substrate for
SWIR image sensor
〇Naoki Imaizumi1, Shunya Sakane1, Haruhiko Udono1 (1.Ibaraki Univ.)
Keywords:
Photodiode,Mg2Si
我々は安価で汎用普及可能な短波長赤外線域（波長0.9-2.5µm）の受光素子の開発に向けて、マグネシウムシリサイド基板を利用したMg2Si-pn接合フォトダイオード(PD)の開発を進め、単素子で高い受光感度を得ていることに成功している。今後、Mg2Siを受光層にもつ短波長赤外イメージセンサへと応用を進めるためには、受光領域を微細化し、PDアレイ構造を作製する必要がある。今回、その製造プロセスの基礎的検討として拡散領域が50-100µm角のMg2Si-pn接合PDをMg2Si基板上に作製し、その電気的特性を評価したので報告する。