[22a-B202-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[22a-B202-4] 短波長赤外イメージセンサに向けたMg₂Si-PDの微細加工と特性評価

〇今泉 尚己¹、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：

フォトダイオード,Mg2Si

我々は安価で汎用普及可能な短波長赤外線域（波長0.9-2.5µm）の受光素子の開発に向けて、マグネシウムシリサイド基板を利用したMg₂Si-pn接合フォトダイオード(PD)の開発を進め、単素子で高い受光感度を得ていることに成功している。今後、Mg₂Siを受光層にもつ短波長赤外イメージセンサへと応用を進めるためには、受光領域を微細化し、PDアレイ構造を作製する必要がある。今回、その製造プロセスの基礎的検討として拡散領域が50-100µm角のMg₂Si-pn接合PDをMg₂Si基板上に作製し、その電気的特性を評価したので報告する。