[22a-C501-1~8] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-C501-6] Development of lateral thermal switching devices operable on bias voltage

〇(M1)Reiji Toida¹, Masaharu Matsunami¹, Tsunehiro Takeuchi¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:

thermal switching devices,lattice thermal conductivity,electron thermal conductivity

我々は、小さな格子熱伝導度（0.4 Wm-1K-1）を持つ縮退半導体Ag2S0.75Se0.25薄膜を用いて、わずか１Vのバイアス電圧によって電子熱伝導度が２倍以上増大する熱流スイッチング素子を開発した。以前に報告した熱流スイッチング素子構造の誘電体レイヤーを変更することで、上記の性能を得た。素子構造、構成材料の物性、素子性能評価方法、および、得られた素子性能を報告する。