講演情報
[22a-C501-6]バイアス電圧で動作する横方向熱流スイッチング素子の開発
〇(M1)樋田 怜史1、松波 雅治1、竹内 恒博1 (1.豊田工大)
キーワード：
熱流スイッチング素子,格子熱伝導度,電子熱伝導度
我々は、小さな格子熱伝導度（0.4 Wm-1K-1）を持つ縮退半導体Ag2S0.75Se0.25薄膜を用いて、わずか１Vのバイアス電圧によって電子熱伝導度が２倍以上増大する熱流スイッチング素子を開発した。以前に報告した熱流スイッチング素子構造の誘電体レイヤーを変更することで、上記の性能を得た。素子構造、構成材料の物性、素子性能評価方法、および、得られた素子性能を報告する。