[22a-C501-1~8] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-C501-7] Development of M-Si-N-Te(M=Transition Metal Elements) Nitride Film with Low Lattice Thermal Conductivity

〇Masaki Adachi¹, Toshiaki Fujita¹ (1.Mitsubishi Materials Corp.)

Keywords:

thermal conductivity,nitride,TDTR method

TDTR法(時間領域サーモリフレクタンス法)を用いて、低熱伝導性窒化物スパッタ薄膜の開発を進めた。我々は、遷移金属窒化物MSiN(M＝遷移金属元素)にTeが添加されたM-Si-N-Te膜において、0.3W/mK未満の極めて低い熱伝導率を見出した。本講演では、格子熱伝導率が著しく低減された要因を報告する。