[22a-C501-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[22a-C501-7] 低い格子熱伝導率を示すM-Si-N-Te(M=遷移金属元素)窒化物薄膜の開発

〇安達 真樹¹、藤田 利晃¹ (1.三菱マテリアル)

キーワード：

熱伝導,窒化物,TDTR法

TDTR法(時間領域サーモリフレクタンス法)を用いて、低熱伝導性窒化物スパッタ薄膜の開発を進めた。我々は、遷移金属窒化物MSiN(M＝遷移金属元素)にTeが添加されたM-Si-N-Te膜において、0.3W/mK未満の極めて低い熱伝導率を見出した。本講演では、格子熱伝導率が著しく低減された要因を報告する。