[22p-A304-1~6] 6.4 Thin films and New materials

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[22p-A304-4] Preparation of Mn₃(Ge,Mn)N (111) epitaxial thin films on GaN using PLD

〇Takahiko Kawaguchi¹, Yuya Sugahara¹, Satoki Sugiura¹, Naonori Sakamoto¹, Naoki Wakiya¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

PLD,nitride,epitaxial thin film

我々はPLD法を用いてMn₃(Ge,Mn)Nの薄膜作製に取り組んでいる。これまでにMgO(001)面の基板に(001)配向のMn₃(Ge,Mn)Nエピタキシャル薄膜の作製に成功している。しかし、先行研究から[111]方位が磁化容易軸であることが示唆されている。先行研究ではMgO(111)基板が用いられているが、GaN (a = 3.18 Å, c = 5.17 Å) の[11-20]軸とMn₃(Ge,Mn)N (a = 3.86-3.90 Å) の[11-2]軸が一致した配向が実現すれば、格子不整合性1%以下での成長が期待される。そこで、本研究ではGaN上への(111)配向Mn₃(Ge,Mn)N薄膜の作製を目的とした。