[22p-A304-1~6] 6.4 薄膜新材料

13:45 〜 14:00

[22p-A304-4] PLD法によるGaN上へのMn₃(Ge,Mn)N(111)エピタキシャル薄膜の作製

〇川口 昂彦¹、菅原 祐哉¹、杉浦 怜希¹、坂元 尚紀¹、脇谷 尚樹¹ (1.静大院工)

キーワード：

PLD,窒化物,エピタキシャル薄膜

我々はPLD法を用いてMn₃(Ge,Mn)Nの薄膜作製に取り組んでいる。これまでにMgO(001)面の基板に(001)配向のMn₃(Ge,Mn)Nエピタキシャル薄膜の作製に成功している。しかし、先行研究から[111]方位が磁化容易軸であることが示唆されている。先行研究ではMgO(111)基板が用いられているが、GaN (a = 3.18 Å, c = 5.17 Å) の[11-20]軸とMn₃(Ge,Mn)N (a = 3.86-3.90 Å) の[11-2]軸が一致した配向が実現すれば、格子不整合性1%以下での成長が期待される。そこで、本研究ではGaN上への(111)配向Mn₃(Ge,Mn)N薄膜の作製を目的とした。