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4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22p-B101-10]Evaluation of C, O ion implanted GaN films by photothermal deflection spectroscopy

〇(M1)Tasuke Saito^1,2, Arai Yuuki^1,2, Sakaguchi Isao¹, Onuma Takeyoshi², Honda Tohru², Sumiya Masatomo¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ.)

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Keywords:

photothermal deflection spectroscopy

イオン注入したGaNを熱アニール処理によってダメージ回復させると, ギャップ内からの発光が強くなる傾向にある . 一方, Yellow luminescence （YL）などのギャップ内発光の起源はC やO の不純物や空孔型欠陥と関連するために, ギャップ内発光の強度が欠陥密度の指標となることがある. 我々は非輻射再結合による熱を検出する光熱偏向分光法（PDS）によってIII-V族窒化物の欠陥に関する研究を行ってきた．本研究では, 輻射と非輻射再結合過程を評価することでギャップ内発光と不純物との相関を明らかにできるのではないかと考え, C, Oをイオン注入した試料をPDSとフォトルミネッセンス（PL）で評価した.

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