講演情報
[22p-B101-10]光熱偏向分光法によるC, Oイオン注入したGaNの評価
〇(M1)齋藤 太助1,2、新井 雄稀1,2、坂口 勲1、尾沼 猛儀2、本田 徹2、角谷 正友1 (1.物材機構、2.工学院大)
キーワード：
光熱偏向分光法
イオン注入したGaNを熱アニール処理によってダメージ回復させると, ギャップ内からの発光が強くなる傾向にある . 一方, Yellow luminescence （YL）などのギャップ内発光の起源はC やO の不純物や空孔型欠陥と関連するために, ギャップ内発光の強度が欠陥密度の指標となることがある. 我々は非輻射再結合による熱を検出する光熱偏向分光法（PDS）によってIII-V族窒化物の欠陥に関する研究を行ってきた．本研究では, 輻射と非輻射再結合過程を評価することでギャップ内発光と不純物との相関を明らかにできるのではないかと考え, C, Oをイオン注入した試料をPDSとフォトルミネッセンス（PL）で評価した.