Presentation Information
[22p-B101-11]Characterization of GaN crystals with low carbon concentration grown by halide vapor phase epitaxy based on photoluminescence spectroscopy
〇Koshi Sano1, Hajime Fujikura2, Taichiro Konno2, Shota Kaneki2, Shuhei Ichikawa1, Kazunobu Kojima1 (1.Osaka Univ., 2.Sumitomo Chemical Co. Ltd.)
Keywords:
GaN,ODPL,carbon impurity
GaNにおける炭素不純物はバンドギャップ内に深い準位を形成し、光・電子デバイスの性能を低下させる要因となる。我々はこれまでに、光励起条件下において、炭素不純物濃度とバンド端近傍発光の外部量子効率(EQE)は強い相関関係にあることを示してきた。本研究では、二次イオン質量分析(SIMS)の検出下限領域まで高純度化したGaN結晶に対して全方位フォトルミネッセンス(ODPL)測定を行い、EQEの励起強度依存性を調べた結果を報告する。