講演情報
[22p-B101-11]ハライド気相成長法によって成長させた低炭素濃度GaN結晶のフォトルミネッセンス評価
〇佐野 昂志1、藤倉 序章2、今野 泰一郎2、金木 奨太2、市川 修平1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.住友化学株式会社)
キーワード：
GaN,ODPL,炭素不純物
GaNにおける炭素不純物はバンドギャップ内に深い準位を形成し、光・電子デバイスの性能を低下させる要因となる。我々はこれまでに、光励起条件下において、炭素不純物濃度とバンド端近傍発光の外部量子効率(EQE)は強い相関関係にあることを示してきた。本研究では、二次イオン質量分析(SIMS)の検出下限領域まで高純度化したGaN結晶に対して全方位フォトルミネッセンス(ODPL)測定を行い、EQEの励起強度依存性を調べた結果を報告する。