Presentation Information
[22p-B101-3]Characterization of Optical Properties of ScAlN/GaN by Spectroscopic Ellipsometry
〇Takuya Maeda1, Yusuke Wakamoto1, Shota Kaneki2, Hajime Fujikura2, Atsushi Kobayashi3 (1.UTokyo, 2.Sumitomo Chemical Co. Inc., 3.Tokyo Univ. of Sci.)
Keywords:
Scandium Aluminum Nitride (ScAlN),Spectroscopic Ellipsometry,Sputtering
本研究では,ScAlN/GaNヘテロ接合について,基礎的な結晶評価に加え,分光エリプソメトリーによって光学物性を評価し,屈折率,消衰係数,バンドギャップについて調べたので報告する.分光エリプソメトリーにおける測定において,Tuac-Lorenzモデルによって良好なフィッティングが得られた.Sc組成増加につれて,屈折率は微増し,消衰係数は長波長側へシフトした.フィッティングから得られた膜厚はXRDから求めた膜厚とよく一致した.