講演情報
[22p-B101-3]分光エリプソメトリーによるScAlN/GaNの光学物性評価
〇前田 拓也1、若本 裕介1、金木 奨太2、藤倉 序章2、小林 篤3 (1.東大、2.住友化学、3.東京理科大)
キーワード：
窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN),分光エリプソメトリー,スパッタリング
本研究では，ScAlN/GaNヘテロ接合について，基礎的な結晶評価に加え，分光エリプソメトリーによって光学物性を評価し，屈折率，消衰係数，バンドギャップについて調べたので報告する．分光エリプソメトリーにおける測定において，Tuac-Lorenzモデルによって良好なフィッティングが得られた．Sc組成増加につれて，屈折率は微増し，消衰係数は長波長側へシフトした．フィッティングから得られた膜厚はXRDから求めた膜厚とよく一致した．