[22p-B201-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)

[22p-B201-14] Effects of nitrogen radical treatment on surface morphology of n-type GaN layers grown by sputtering deposition

〇Shinji Yamada¹, Kiho Tanaka¹, Manabu Arai¹, Tetsu Kachi¹, Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,Sputtering

我々はGaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積による低コンタクト形成技術の開発を行っている。Gaと窒素ラジカル(N*)を原料とするスパッタリングの場合、N*の供給が成長を律速するため、GaN成膜後の表面には堆積した余剰GaによるGaドロプレットが形成されやすい。そこで、GaNスパッタ成膜後に追加でN*照射を行うことにより、GaNスパッタ膜の表面形態に対する改善を試みたので報告する。