我々はGaN縦型パワーデバイスのオン抵抗低減に向けて、高濃度n型GaNスパッタ膜堆積による低コンタクト形成技術の開発を行っている。Gaと窒素ラジカル(N*)を原料とするスパッタリングの場合、N*の供給が成長を律速するため、GaN成膜後の表面には堆積した余剰GaによるGaドロプレットが形成されやすい。そこで、GaNスパッタ成膜後に追加でN*照射を行うことにより、GaNスパッタ膜の表面形態に対する改善を試みたので報告する。