[22p-B201-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22p-B201-2] Theoretical calculation of Mg_Ga-Vo in GaO_x interlayer at GaN/SiO₂ interface

〇Shuto Hattori¹, Atsushi Oshiyama², Kenji Shiraishi^1,2 (1.Graduate School of Eng, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,First-principles calculation

GaN/SiO₂界面ではGaO_x中間層を自然形成することが報告されている。p型GaN/SiO₂界面の場合、GaO_x中間層にはアクセプター不純物であるMgが残留していると考えられる。そこで本研究では、GaO_x中のMg_Ga近傍におけるVo欠陥の形成エネルギーおよび、Mg_Ga-Vo欠陥のトラップ準位位置を計算したので報告する。