講演情報
[22p-B201-2]GaN/SiO2界面のGaOx中間層におけるMgGa-Voの理論計算
〇服部 柊人1、押山 淳2、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
GaN,第一原理計算
GaN/SiO2界面ではGaOx中間層を自然形成することが報告されている。p型GaN/SiO2界面の場合、GaOx中間層にはアクセプター不純物であるMgが残留していると考えられる。そこで本研究では、GaOx中のMgGa近傍におけるVo欠陥の形成エネルギーおよび、MgGa-Vo欠陥のトラップ準位位置を計算したので報告する。