[22p-B201-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[22p-B201-3] Evaluation of gap-states near conduction band in the vicinity of MOS interface for Mg- and N-ion-co-implanted GaN

〇Yuki Hatakeyama¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN,Mg ion implantation

GaNは高効率パワーMOSFETを実現する材料として有望である。その実現のためには、イオン注入技術の確立が重要な課題である。Mgイオン注入後にGaN中に発生する窒素空孔関連の欠陥が、Nを共注入した後に活性化アニールすることで低減することが報告されている。本報告では、Mg+N共注入を行ったGaNにおける欠陥準位を、MOS構造を利用して検出した結果について報告する。