講演情報
[22p-B201-3]MgとNのイオン共注入を行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価
〇畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
窒化ガリウム,Mgイオン注入
GaNは高効率パワーMOSFETを実現する材料として有望である。その実現のためには、イオン注入技術の確立が重要な課題である。Mgイオン注入後にGaN中に発生する窒素空孔関連の欠陥が、Nを共注入した後に活性化アニールすることで低減することが報告されている。本報告では、Mg+N共注入を行ったGaNにおける欠陥準位を、MOS構造を利用して検出した結果について報告する。