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2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[22p-B201-4]Sub-bandgap-light-assisted C–V measurement of MOS structure with photoelectrochemically etched p-GaN

〇Takahide Nukariya¹, Jiao Yining¹, Umi Takatsu¹, Taketomo Sato¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

p-GaN

ワイドギャップ半導体であるGaNは、高効率パワーデバイス向けの材料として有望である。高効率の反転型n-チャネルGaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp型GaN(p-GaN)との界面の制御が必須となる。本報告においては、PECエッチングの効果についてより詳しく調べた結果を報告する。