講演情報
[22p-B201-4]光電気化学エッチングを施したp-GaN を用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C–V測定
〇忽滑谷 崇秀1、焦 一寧1、高津 海1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
キーワード：
p型GaN
ワイドギャップ半導体であるGaNは、高効率パワーデバイス向けの材料として有望である。高効率の反転型n-チャネルGaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp型GaN(p-GaN)との界面の制御が必須となる。本報告においては、PECエッチングの効果についてより詳しく調べた結果を報告する。