[22p-B201-1~14] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[22p-B201-6] Capacitance-voltage characteristics of AlSiO/n-GaN MOS structures with various ultra-high-pressure annealing times

〇Takumi Hirata¹, Masakazu Kanechika², Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

MOS,ultra-high-pressure annealing

縦型GaN MOSFETに使用されるゲート絶縁膜は形成時従来の高温PDAでGa拡散をはじめとした問題が起こる。我々は超高圧アニール(UHPA)により低温でも従来の高温PDAと同様の効果を得つつ低温化によりGa拡散を抑制できることを報告した。本講演では様々なPDA時間でC-V特性による界面評価を行った結果を報告する。長時間のUHPAによって界面または酸化膜中の固定電荷、界面付近の酸化膜トラップ、界面準位密度を同時に低減できることが明らかとなった。