縦型GaN MOSFETに使用されるゲート絶縁膜は形成時従来の高温PDAでGa拡散をはじめとした問題が起こる。我々は超高圧アニール(UHPA)により低温でも従来の高温PDAと同様の効果を得つつ低温化によりGa拡散を抑制できることを報告した。本講演では様々なPDA時間でC-V特性による界面評価を行った結果を報告する。長時間のUHPAによって界面または酸化膜中の固定電荷、界面付近の酸化膜トラップ、界面準位密度を同時に低減できることが明らかとなった。