講演情報
[22p-B201-6]AlSiO/n-GaN MOS構造の容量-電圧特性における超高圧アニール時間依存性
〇平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
MOS,超高圧アニール
縦型GaN MOSFETに使用されるゲート絶縁膜は形成時従来の高温PDAでGa拡散をはじめとした問題が起こる。我々は超高圧アニール(UHPA)により低温でも従来の高温PDAと同様の効果を得つつ低温化によりGa拡散を抑制できることを報告した。本講演では様々なPDA時間でC-V特性による界面評価を行った結果を報告する。長時間のUHPAによって界面または酸化膜中の固定電荷、界面付近の酸化膜トラップ、界面準位密度を同時に低減できることが明らかとなった。