Presentation Information
[22p-B201-7]Evaluation of Hole Traps in SiO2/p-GaN Structures by Below-gap Light Illumination
〇Kazuki Tomigahara1, Takuma Kobayashi1, Mikito Nozaki1, Takayoshi Shimura1, Heiji Watanabe1 (1.Osaka Univ.)
Keywords:
gallium nitride,hole traps
高性能GaN MOS デバイスの実現に向け，高品質なGaN MOS 構造の形成が不可欠である．現状、SiO2/GaN構造では電子トラップは十分に低減可能であるが、正孔トラップは低減できていない。正孔トラップ低減のためにはその起源の理解が重要であり，トラップの密度およびエネルギー位置を正確に評価する必要がある．本研究では，SiO2/p 型 GaN構造に対し、光照射を用いて正孔トラップの評価を行った．