講演情報
[22p-B201-7]Below-gap光照射を用いたSiO2/p型GaN構造の正孔トラップ評価
〇冨ケ原 一樹1、小林 拓真1、野﨑 幹人1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
キーワード：
窒化ガリウム,正孔トラップ
高性能GaN MOS デバイスの実現に向け，高品質なGaN MOS 構造の形成が不可欠である．現状、SiO2/GaN構造では電子トラップは十分に低減可能であるが、正孔トラップは低減できていない。正孔トラップ低減のためにはその起源の理解が重要であり，トラップの密度およびエネルギー位置を正確に評価する必要がある．本研究では，SiO2/p 型 GaN構造に対し、光照射を用いて正孔トラップの評価を行った．