[22p-P07-1~6] 13.3 Insulator technology

[22p-P07-4] Effect of UV-Ozone treatment on ALD film on SiO₂

〇Yoshiharu Kirihara¹, Shunichi Ito¹, Ryousuke Ishikawa¹, Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ.)

Keywords:

Atomic Layer Deposition,X-ray Photoelectron Spectroscopy,incubation cycle

熱酸化-SiO₂/Si上にALD法で非常に薄い酸化膜を形成することは、SiO₂表面が化学的に不活性であることから困難である。UV-Ozone (UVO) 処理は、SiO₂やAl₂O₃などの酸化膜の表面改質の報告があり、環境に無害で、CMOSプロセスと互換性があるという利点がある。本研究では、原子層厚の膜厚制御と高品質で均一な酸化膜の作製を目的として、UVO法によるSiO₂の表面改質がALDに及ぼす効果を調べた。