講演情報
[22p-P07-4]SiO2上のUV-Ozone処理がALD膜に及ぼす影響
〇桐原 芳治1、伊藤 俊一1、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.都市大)
キーワード：
原子層堆積,X線光電子分光法,インキュベーションサイクル
熱酸化-SiO2/Si上にALD法で非常に薄い酸化膜を形成することは、SiO2表面が化学的に不活性であることから困難である。UV-Ozone (UVO) 処理は、SiO2やAl2O3などの酸化膜の表面改質の報告があり、環境に無害で、CMOSプロセスと互換性があるという利点がある。本研究では、原子層厚の膜厚制御と高品質で均一な酸化膜の作製を目的として、UVO法によるSiO2の表面改質がALDに及ぼす効果を調べた。