Presentation Information
[22p-P09-2]Improvement of current density of Si/CaF2 n-type triple-barrier Resonant Tunneling Diode
〇(M1)Kanta Murakami1, Ryouya Usami1, Maiko Hoshino1, Masahiro Watanabe1 (1.Tokyo Inst. of Tech.)
Keywords:
semiconductor,Resonant Tunneling Diode
共鳴トンネルダイオードは高速動作・高密度集積が可能な新構造デバイスとして期待されている。THz応用を見据えた課題としてMA/cm2オーダーの電流密度、高いPVCRの獲得、安定な繰り返し動作が挙げられる。今回、三重障壁構造の障壁層薄膜化と井戸層のnタイプドーピングによりこれらの課題を達成したので報告する。