[22p-P09-1~5] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[22p-P09-2] Si/CaF₂ n型三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流密度向上

〇(M1)村上 寛太¹、宇佐見 遼也¹、星野 麻衣子¹、渡辺 正裕¹ (1.東工大電気電子系)

キーワード：

半導体,共鳴トンネルダイオード

共鳴トンネルダイオードは高速動作・高密度集積が可能な新構造デバイスとして期待されている。THz応用を見据えた課題としてMA/cm²オーダーの電流密度、高いPVCRの獲得、安定な繰り返し動作が挙げられる。今回、三重障壁構造の障壁層薄膜化と井戸層のnタイプドーピングによりこれらの課題を達成したので報告する。