[23a-A303-1~11] 13.3 Insulator technology

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[23a-A303-8] Charge trapping characteristics of magnesium-doped silicon nitride films

〇Daiki Morohoshi¹, Kiyoteru Kobayashi¹ (1.Grad. Sch. Eng.)

Keywords:

nonvolatile memory,silicon nitride,defect state

マグネシウムをドープしたβ-Si₃N₄結晶の禁制帯に欠陥準位が現れることを見出した。この結果に基づいて、シリコン窒化膜にマグネシウムをドープしたメモリ素子を作製し、その諸特性を調べた。その結果、マグネシウムをドープした素子ではイオン注入を施していない素子に比べ、ΔV_fbが大きくなった。マグネシウムをドープしたことにより、窒化膜に電子トラップが生成した可能性がある。