講演情報
[23a-A303-8]マグネシウムをドープしたシリコン窒化膜の電荷捕獲特性
〇諸星 大樹1、小林 清輝1 (1.東海大院工)
キーワード：
不揮発性メモリ,シリコン窒化膜,欠陥準位
マグネシウムをドープしたβ-Si3N4結晶の禁制帯に欠陥準位が現れることを見出した。この結果に基づいて、シリコン窒化膜にマグネシウムをドープしたメモリ素子を作製し、その諸特性を調べた。その結果、マグネシウムをドープした素子ではイオン注入を施していない素子に比べ、ΔVfbが大きくなった。マグネシウムをドープしたことにより、窒化膜に電子トラップが生成した可能性がある。