[23a-A303-1~11] 13.3 Insulator technology

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[23a-A303-9] Thermal annealing effect on paramagnetic defects in silicon nitride films formed by a low-pressure chemical vapor deposition method

〇Ryo Miyauchi¹, Kenshi Kimoto², Kunimitsu Maejima², Kiyoteru Kobayashi¹ (1.Tokai Univ., 2.ESCO, Ltd.)

Keywords:

silicon nitride,thermal annealing,paramagnetic defect

シリコン窒化膜中に存在する孤立したSi未結合手はKセンターと呼ばれている。これまで、高温熱処理下でのKセンターの安定性は明らかではなかった。本発表では、昇温脱離分析（TDS）、FTIR-ATR、ESRを組み合わせて、LPCVDによって形成されたシリコン窒化膜のKセンターと化学結合に対する様々な温度での熱処理の影響を調べたので報告する。