講演情報
[23a-A303-9]シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の影響
〇宮内 陵1、木本 健嗣2、前島 邦光2、小林 清輝1 (1.東海大院工、2.電子科学(株))
キーワード：
シリコン窒化膜,熱処理,常磁性欠陥
シリコン窒化膜中に存在する孤立したSi未結合手はKセンターと呼ばれている。これまで、高温熱処理下でのKセンターの安定性は明らかではなかった。本発表では、昇温脱離分析（TDS）、FTIR-ATR、ESRを組み合わせて、LPCVDによって形成されたシリコン窒化膜のKセンターと化学結合に対する様々な温度での熱処理の影響を調べたので報告する。