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10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-A602-6]Electroluminescence Characterization of PIN Diodes Made of GeSn Wires Fabricated by Local Liquid-phase Crystallization

〇(M1)Sosuke Iwamoto¹, Takuji Hosoi², Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Kwansei Gakuin Univ.)

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Keywords:

GeSn,Local Liquid-phase Crystallization,EL spectra

Si-CMOS技術と互換性のあるIV族材料の光源が期待されている。我々は、局所溶融結晶化によって得られた良質なGeSn細線からPINダイオードを作製し、発光スペクトルを測定した。PL、低注入電流下のELにおいて発光波長が無歪みGeよりレッドシフトしており、高注入電流下で発光波長がブルーシフトする現象が確認された。これらの現象を考察するべく、バンド構造計算等から理論的解析を行った。

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