[23a-A602-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[23a-A602-6] 局所溶融結晶化GeSn PINダイオードの発光特性解析

〇(M1)岩本 蒼典¹、細井 卓治²、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.関学大工)

キーワード：

GeSn,局所溶融結晶化,ELスペクトル

Si-CMOS技術と互換性のあるIV族材料の光源が期待されている。我々は、局所溶融結晶化によって得られた良質なGeSn細線からPINダイオードを作製し、発光スペクトルを測定した。PL、低注入電流下のELにおいて発光波長が無歪みGeよりレッドシフトしており、高注入電流下で発光波長がブルーシフトする現象が確認された。これらの現象を考察するべく、バンド構造計算等から理論的解析を行った。