Presentation Information
[23a-A602-8]Ge-lattice-matched SixGe1-x-ySny ternary alloys and their layer transfer
〇Tatsuro Maeda1, Hiroyuki Ishii1, Wen-Hsin Chang1, Shiyu Zhang2, Shigehisa Shibayama2, Masashi Kurosawa2, Osamu Nakatsuka2 (1.AIST, 2.Nagoya University)
Keywords:
ternary alloy,SiGeSn
これまでのSixGe1-x-ySny三元混晶は、その結晶成長と格子整合の困難さからSi組成が低いものしか実現しておらず、格子整合を意識した高Si組成の高品質なSixGe1-x-ySny三元混晶成長の例は少なく、その物理化学的特性やバンドギャップなどの基本情報も十分に明らかになっていない。今回我々はGeに格子整合したSi組成30%程度のSixGe1-x-ySny結晶成長を試み、その物性評価とデバイス化に向けた転写技術について検討したので報告する