講演情報
[23a-A602-8]Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写
〇前田 辰郎1、石井 裕之1、張 文馨1、張 師宇2、柴山 茂久2、黒澤 昌志2、中塚 理2 (1.産総研、2.名大院工)
キーワード：
三元混晶,SiGeSn
これまでのSixGe1-x-ySny三元混晶は、その結晶成長と格子整合の困難さからSi組成が低いものしか実現しておらず、格子整合を意識した高Si組成の高品質なSixGe1-x-ySny三元混晶成長の例は少なく、その物理化学的特性やバンドギャップなどの基本情報も十分に明らかになっていない。今回我々はGeに格子整合したSi組成30%程度のSixGe1-x-ySny結晶成長を試み、その物性評価とデバイス化に向けた転写技術について検討したので報告する