[23a-B201-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[23a-B201-10] Low Thermal Resistance of GaN Devices with Bi-layer High Thermal Conductive Carbon Composite

〇Kenji Oosaki¹, Yoichi Tsuchiya¹, Hiroto Saito¹, Atsushi Tanaka², Tadamoto Suga³, Nora Martinez³, Katsuhiro Chikuba⁴, Akio Wakejima¹ (1.Nagoya Institute of Technology, 2.Nagoya University, 3.Meisei University, 4.Thermo Graphitics CO., LTD.)

Keywords:

Carbon,GaN,Thermal Resistance

グラファイトカーボンを積層したCC材は、熱伝導に異方性を持つ。この構造で熱が広がらない方向も有効に使うために、2層構造を提案した。2層構造では、垂直方向の高熱伝導特性を維持したまま、面内方向の熱伝導の異方性を疑似的に低減させ、熱抵抗を30%以上低減することが可能であると報告した。今回、2層構造CC材の上に市販品GaNデバイスを実装し、GaNデバイスの低熱抵抗化を確認できたので報告する。